iccad-expo 2025 文章最新資訊

2025年MRAM全球創(chuàng)新論壇將展示MRAM技術(shù)創(chuàng)新、進(jìn)展及行業(yè)專家的研究成果

MRAM全球創(chuàng)新論壇是行業(yè)內(nèi)磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）技術(shù)的頂級(jí)平臺(tái)，匯聚了來自業(yè)界和學(xué)術(shù)界的頂尖磁學(xué)專家與研究人員，共同分享MRAM的最新進(jìn)展。今年已是第13屆，這一為期一天的年度會(huì)議將于2025年12月11日IEEE國際電子器件會(huì)議（IEDM）之后的第二天，上午8：45至下午6點(diǎn)在舊金山聯(lián)合廣場(chǎng)希爾頓酒店帝國宴會(huì)廳A/B舉行。2025年MRAM技術(shù)項(xiàng)目包括12場(chǎng)由全球頂尖MRAM專家邀請(qǐng)的演講，以及一個(gè)晚間小組討論。這些項(xiàng)目將聚焦于技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品開發(fā)、工具開發(fā)及其他探索性話題。MRAM技術(shù)是一種非
關(guān)鍵字： MRAM 存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新 2025 創(chuàng)新論壇

分析師警告稱，人工智能數(shù)據(jù)中心建設(shè)將推動(dòng)銅短缺——2035年需求僅能滿足70%，2025年預(yù)計(jì)缺口為304,000噸

超大規(guī)模園區(qū)和電網(wǎng)擴(kuò)張帶來的創(chuàng)紀(jì)錄需求正與礦山產(chǎn)量放緩發(fā)生沖突。銅生產(chǎn)商和市場(chǎng)分析師開始描繪出一個(gè)供應(yīng)缺口，正值超大規(guī)模人工智能園區(qū)接近創(chuàng)紀(jì)錄的用電量之際。國際能源署最新的關(guān)鍵礦產(chǎn)展望顯示，現(xiàn)有和計(jì)劃中的銅礦僅滿足2035年預(yù)計(jì)需求的約70%。伍德·麥肯齊預(yù)計(jì)短缺將更早出現(xiàn)，2025年精銅短缺預(yù)計(jì)為304,000噸，2026年缺口更大。這一趨勢(shì)與一波由人工智能驅(qū)動(dòng)的電力基礎(chǔ)設(shè)施浪潮匯聚，將長(zhǎng)期存在的工業(yè)金屬轉(zhuǎn)變?yōu)閿?shù)據(jù)中心擴(kuò)展的實(shí)際瓶頸。據(jù)伍德·麥肯齊、查爾斯·庫珀在接受《金融時(shí)報(bào)》采訪時(shí)表示，建設(shè)數(shù)據(jù)中心
關(guān)鍵字： AI 數(shù)據(jù)中心銅資源短缺 2025 銅缺口銅礦供應(yīng)緊銅價(jià)上漲

IEEE Wintechon 2025 通過數(shù)據(jù)、多樣性與協(xié)作驅(qū)動(dòng)印度半導(dǎo)體未來

第六屆IEEE WINTECHCON 2025于2025年11月12日至13日，召集了800多名女性工程師、技術(shù)專家、行業(yè)領(lǐng)袖、學(xué)術(shù)界、學(xué)生和研究人員，主題為“以數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體創(chuàng)新改變未來”。今年，該會(huì)議由IEEE班加羅爾分會(huì)、IEEE計(jì)算機(jī)科學(xué)學(xué)會(huì)班加羅爾分會(huì)和Women in Engineering AG班加羅爾分會(huì)聯(lián)合主辦，由三星半導(dǎo)體印度研究院（SSIR）主辦。IEEE班加羅爾分會(huì)主席Chandrakanta Kumar博士表示：“IEEE Wintechcon 2025展示了印度半導(dǎo)體創(chuàng)新引擎
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 嵌入式系統(tǒng) IEEE Wintechon 2025 3D IC 集成

開放創(chuàng)芯，成就未來——ICCAD-Expo 2025成功舉辦！

11月20日至21日，由成都高新發(fā)展股份有限公司、芯脈通會(huì)展策劃（上海）有限公司、成都市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)、重慶市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、成都國家芯火雙創(chuàng)基地共同主辦，成都海光集成電路設(shè)計(jì)有限公司、成都華微電子科技股份有限公司支持的“2025集成電路發(fā)展論壇（成渝）暨三十一屆集成電路設(shè)計(jì)業(yè)展覽會(huì)”（簡(jiǎn)稱ICCAD-Expo 2025）在成都中國西部國際博覽城成功舉辦。本屆大會(huì)以“開放創(chuàng)芯，成就未來”為主題，創(chuàng)新設(shè)置了“1+10+1”系列活動(dòng)架構(gòu)，包括1場(chǎng)高峰論壇、10場(chǎng)專題論壇及1場(chǎng)產(chǎn)業(yè)展覽。活動(dòng)聚焦行業(yè)前沿技術(shù)、
關(guān)鍵字： ICCAD-Expo 2025

ICCAD觀察之一：“反內(nèi)卷”之前請(qǐng)先放棄“國產(chǎn)替代”

內(nèi)卷這個(gè)詞在過去兩年中幾乎影響力每個(gè)人，連國家都出面呼吁大家反內(nèi)卷。“國產(chǎn)替代”則隨著半導(dǎo)體成為國際局勢(shì)的角力工具變得越來越重要，很多人可能并不認(rèn)為作為“高科技”產(chǎn)業(yè)和“國產(chǎn)替代”寵兒的半導(dǎo)體領(lǐng)域，應(yīng)該不會(huì)存在內(nèi)卷的問題，其實(shí)恰恰相反，半導(dǎo)體行業(yè)的內(nèi)卷可能比互聯(lián)網(wǎng)更嚴(yán)重。在剛剛結(jié)束的ICCAD2025現(xiàn)場(chǎng)，魏少軍教授的主題報(bào)告專門提到了今年學(xué)會(huì)理事會(huì)的一個(gè)重要話題就是反內(nèi)卷。這個(gè)倡議是說給設(shè)計(jì)企業(yè)聽的，不過在國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上，內(nèi)卷情況比比皆是。但相比于反內(nèi)卷，筆者覺得與會(huì)EDA企業(yè)喊出的另一個(gè)口號(hào)更值得
關(guān)鍵字： ICCAD 反內(nèi)卷國產(chǎn)替代

就在明天 | ICCAD-Expo 2025核心亮點(diǎn)搶先看！

各位半導(dǎo)體行業(yè)同仁：備受期待的集成電路設(shè)計(jì)行業(yè)年度盛會(huì)——2025集成電路發(fā)展論壇（成渝）暨三十一屆集成電路設(shè)計(jì)業(yè)展覽會(huì)（ICCAD-Expo 2025）即將于明天（11月20日）在成都西博城盛大開幕！這是一場(chǎng)真正意義上的“三高”并舉的IC行業(yè)盛宴，您準(zhǔn)備好了嗎？展商級(jí)別高01產(chǎn)業(yè)核心力量，一站式匯聚臺(tái)積電、西門子EDA、安謀科技、芯原股份、華大九天、概倫電子、銳成芯微、UMC、華力微電子、成都華微電子、日月光、Globalfoundries、長(zhǎng)電科技、海光信息等300余家國內(nèi)外領(lǐng)軍企業(yè)已集結(jié)
關(guān)鍵字： ICCAD-Expo

倒計(jì)時(shí)2天丨魏少軍教授主旨報(bào)告主題、數(shù)據(jù)出爐！

ICCAD-Expo 2025（三十一屆集成電路設(shè)計(jì)業(yè)展覽會(huì)）將于2025年11月20日-21日在成都·中國西部國際博覽城舉行。作為中國集成電路設(shè)計(jì)行業(yè)的年度盛會(huì)，本屆展會(huì)聚焦產(chǎn)業(yè)最新動(dòng)態(tài)、技術(shù)趨勢(shì)與資源對(duì)接，是廣大半導(dǎo)體人獲取權(quán)威行業(yè)數(shù)據(jù)與技術(shù)方向不可或缺的重要媒介。那么今年的IC行業(yè)發(fā)展如何？2025年IC行業(yè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)也已出爐！11月20日，魏少軍教授即將攜最新半導(dǎo)體行業(yè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，在ICCAD-Expo 2025高峰論壇環(huán)節(jié)發(fā)布題為《技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)升級(jí)》的IC行業(yè)主旨報(bào)告，屆時(shí)他將為我們總結(jié)20
關(guān)鍵字：魏少軍 ICCAD

以前沿技術(shù)共拓行業(yè)新篇，村田將亮相ICCAD 2025

2025年11月20日至21日，全球居先的綜合電子元器件制造商村田中國（以下簡(jiǎn)稱“村田”）將亮相于成都中國西部國際博覽城召開的“2025集成電路發(fā)展論壇（成渝）暨三十一屆集成電路設(shè)計(jì)業(yè)展覽會(huì)（ICCAD 2025）”，展位號(hào)：【D106】。此次大會(huì)，村田將重點(diǎn)關(guān)注未來高性能AI發(fā)展，著力為高速高頻設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)提供更多小型化、高性能的元器件產(chǎn)品和解決方案，集中展示在集成電路領(lǐng)域的前沿技術(shù)和解決方案。隨著人工智能技術(shù)的迅速發(fā)展和算力需求的持續(xù)攀升，AI芯片的市場(chǎng)規(guī)模正迅速擴(kuò)大。根據(jù)德勤中國今年發(fā)布的《技術(shù)趨勢(shì)20
關(guān)鍵字：村田 ICCAD 集成電路發(fā)展論壇

ICCAD-Expo超全觀展指南，看這一篇就夠了!

作為一年一度的IC產(chǎn)業(yè)年度聚會(huì)，2025集成電路發(fā)展論壇(成渝)暨三十一屆集成電路設(shè)計(jì)業(yè)展覽會(huì)將于11月20日-21日在成都西博城召開。預(yù)計(jì)將有8000+行業(yè)精英，2000+IC企業(yè)，300+IC行業(yè)上下游服務(wù)商集結(jié)于此，行業(yè)覆蓋EDA、IP、設(shè)計(jì)服務(wù)、制造、封測(cè)等全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，IC產(chǎn)業(yè)的“全明星陣容”在成都共話行業(yè)未來“芯”趨勢(shì)。展會(huì)信息01 展會(huì)時(shí)間及地點(diǎn)2025年11月20日8:45-18:00 高峰論壇位置：成都西博城二層 7 號(hào)館8:40-17:30 專業(yè)展覽位置：成都西博城二層7-8號(hào)館2
關(guān)鍵字： ICCAD-Expo

實(shí)現(xiàn)高密度正面和背面晶圓連接的途徑

晶圓到晶圓混合鍵合和背面技術(shù)的進(jìn)步將CMOS 2.0從概念變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)，為計(jì)算系統(tǒng)擴(kuò)展提供了更多選擇。在VLSI 2025 上，imec 研究人員展示了將晶圓間混合鍵合路線圖擴(kuò)展到250 nm 互連間距的可行性。他們還通過制造120 nm 間距的極小的貫穿介電通孔，在晶圓背面顯示出高度致密的連接。在晶圓兩側(cè)建立如此高密度連接的能力為開發(fā)基于CMOS 2.0 的計(jì)算系統(tǒng)架構(gòu)提供了一個(gè)里程碑，該架構(gòu)依賴于片上系統(tǒng)內(nèi)功能層的堆疊。基于CMOS 2.0 的系統(tǒng)還將利用包括供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）在內(nèi)的后端互連，其優(yōu)勢(shì)可
關(guān)鍵字： 202510 晶圓連接 VLSI 2025 imec

錯(cuò)過等一年丨半導(dǎo)體人年度聚會(huì)你參加了嗎？

享譽(yù)全球的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛會(huì)ICCAD-Expo（第31屆）將于11月20日-21日在成都·中國西部國際博覽城盛大召開，來自全球領(lǐng)先的Foundry、EDA、IP、設(shè)計(jì)服務(wù)、封測(cè)、設(shè)計(jì)企業(yè)及合作伙伴將歡聚成都，分享集成電路前沿技術(shù)與創(chuàng)新成果。屆時(shí)大會(huì)主席、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)魏少軍教授將分享《技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)升級(jí)》主旨報(bào)告，臺(tái)積電、UMC和艦科技、中芯國際、華力、西門子EDA、三星半導(dǎo)體、安謀科技、華大九天、概倫電子、芯原、阿里巴巴達(dá)摩院、合見工軟、國微芯、思爾芯、銳成芯微、英諾達(dá)、芯和半導(dǎo)
關(guān)鍵字： ICCAD

報(bào)名火熱進(jìn)行中丨全方位解讀ICCAD Expo，洞見產(chǎn)業(yè)“芯”未來

在去年ICCAD-Expo上，魏少軍教授分享了2024中國芯片設(shè)計(jì)業(yè)發(fā)展情況：全行業(yè)銷售額約為 6460.4 億元人民幣，其中長(zhǎng)三角、珠三角、中西部地區(qū)的產(chǎn)業(yè)規(guī)模分別為3828.4 億元、1662.1億元及985.5億元；全國營(yíng)收過億元的企業(yè) 731 家，比上年增加106家，銷售額占比全行業(yè) 87.15%。同時(shí)，魏教授也指出了芯片設(shè)計(jì)業(yè)可能面臨龍頭增長(zhǎng)乏力、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)偏中低端等問題，并針對(duì)這些外部打壓與內(nèi)部挑戰(zhàn)給予了建設(shè)性的意見。那么今年的中國設(shè)計(jì)業(yè)發(fā)展如何？產(chǎn)業(yè)規(guī)模、企業(yè)數(shù)量是否還在穩(wěn)固增長(zhǎng)？EDA、IP
關(guān)鍵字： ICCAD Expo

讓高性能計(jì)算芯片設(shè)計(jì)與CXL規(guī)范修訂保持同步

在當(dāng)今的高性能計(jì)算領(lǐng)域，確保處理器、存儲(chǔ)和加速器之間快速可靠的通信對(duì)系統(tǒng)性能和可擴(kuò)展性至關(guān)重要。因此，就誕生了Compute Express Link?（CXL?）標(biāo)準(zhǔn)：其目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)一致的內(nèi)存訪問、低延遲的數(shù)據(jù)傳輸，以及不同先進(jìn)架構(gòu)之間的無縫互操作性。作為CXL聯(lián)盟的活躍成員，SmartDV Technologies在設(shè)計(jì)和驗(yàn)證IP方面擁有數(shù)十年的專業(yè)知識(shí)，可以幫助工程團(tuán)隊(duì)了解不斷發(fā)展的標(biāo)準(zhǔn)。我們符合規(guī)范的VIP產(chǎn)品組合使團(tuán)隊(duì)能夠充滿信心地采用最新的CXL版本來加速開發(fā)，同時(shí)保持魯棒性和準(zhǔn)確性。隨著CXL
關(guān)鍵字：計(jì)算芯片設(shè)計(jì) CXL SmartDV ICCAD

Pickering全球首款20kV可定制干簧繼電器亮相 SEMICON Taiwan 2025

全球領(lǐng)先的高性能干簧繼電器制造商 Pickering Electronics 將在 SEMICON Taiwan 2025 展會(huì)上展示其全面的半導(dǎo)體測(cè)試?yán)^電器產(chǎn)品組合，其中包括全新推出的 600系列可定制高壓干簧繼電器。該系列產(chǎn)品可在開關(guān)觸點(diǎn)間實(shí)現(xiàn)高達(dá) 20kV 耐壓，開關(guān)到線圈之間實(shí)現(xiàn)高達(dá) 25kV 耐壓。觀眾可在臺(tái)北南港展覽館英國館 I3022/J3034 展位參觀，展會(huì)時(shí)間為2025年9月10日至12日。Pickering 的600系列干簧繼電器代表了高壓繼電器設(shè)計(jì)的一項(xiàng)重大創(chuàng)新。該系列產(chǎn)品可根據(jù)客
關(guān)鍵字： Pickering 干簧繼電器 SEMICON Taiwan 2025

SK海力士在IEEE VLSI 2025上展示未來DRAM技術(shù)路線圖

SK海力士公司今天宣布，在日本京都舉行的20251年IEEE VLSI研討會(huì)上，該公司提出了未來30年的DRAM新技術(shù)路線圖和可持續(xù)創(chuàng)新的方向。SK海力士首席技術(shù)官（CTO）車善勇于6月10日發(fā)表了題為“推動(dòng)DRAM技術(shù)創(chuàng)新：邁向可持續(xù)未來”的全體會(huì)議。首席技術(shù)官 Cha 在演講中解釋說，通過當(dāng)前的技術(shù)平臺(tái)擴(kuò)展來提高性能和容量變得越來越困難。“為了克服這些限制，SK海力士將在結(jié)構(gòu)、材料和組件方面進(jìn)行創(chuàng)新，將4F2 VG（垂直門）平臺(tái)和3D DRAM技術(shù)應(yīng)用于10納米級(jí)或以下的技術(shù)。4F2 VG平臺(tái)是下一代
關(guān)鍵字： SK海力士 IEEE VLSI 2025 DRAM